Menu
banner

应用

开关电源

在自主研发的同时,公司加强与企业、大学及科研院所的合作,大力开发具有自主知识产权的关键技术,形成自主的核心技术和专有技术,加快科技成果产业化步伐。公司与西安电子科技大学等知名院校建立产学研合作关系,掌握了一批具有自主知识产权的核心技术,有力地保证了公司研发活动顺利开展,为实现半导体系列产品技术领先战略提供了技术储备和支撑。

 

电路拓扑结构

 

捷捷微

 

捷捷微


系统示意图
 

捷捷微
PFC(BOOST)

系统概述
BOOST电路:即升压变换器,通过Q1的导通对L储能,Q1关断后L释放储能并叠加输入电压来进行升压,APFC电路使用该种电路拓扑。D1的反向恢复会对Q1产生较大影响应加以考虑。MOS管关闭时,反向电压峰值较高。需要BVDSS(600V-650V),MOS管与感性负载链接,EAS能力要求高。异常情况下,电路要求MOS管抗dV/dt能力高。能效要求,MOS管损耗低。考核雷击浪涌。

 



捷捷微
LLC
​​​​

系统概述
谐振式半桥电源适用于相对较大容量的电源应用,是150W至1000kW应用的理想选择。谐振式半桥电源因采用零电压开关(ZVS)而实现了非常高的工作效率。开关频率高,需要MOS产品低栅极电荷,实现快速开关,降低开关损耗。工作电流大,需要MOS产品低Rds(on)设计,降低导通损耗;EMI要求高,需要MOS产品高EMI抗干扰能力;零电压开关,需要体二极管反向恢复时间短。J捷捷微电子也提供具有高速快恢复二极管(FRD)的MutliEPISJ-MOS,且二极管具有短的反向恢复时间(trr),适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用。

 

捷捷微
Flyback

 

系统概述
反激式转换器包括很少部件,用于150瓦以下的电源应用,比如笔记本电脑和手机电源非常适用于反激式电路。MOS关闭时,交换节点电压峰值高。MOS与感性负载连接,EAS能力要求高。异常情况下,电路要求MOS管抗dv/dt能力高。能效要求,MOS管损耗要求高。考核雷击浪涌。捷捷微电子提供650V/700V/730V MOSFET。                      

 

 

捷捷微
Synchronous Rectification

 

系统概述
同步整流控制方式是利用MOS管导通后的超低导通电阻来改善二极管整流的正向导通压降损耗。我们的SGTMOS可提供30V~150V的同步整流MOS管。在同步整流MOS管的选型中,可以依次以BV、Rdson、Qg、Qrr作为参考去筛选适配的MOS管,我们为同步整流应用专门提供了高Vth的SGTMOS,并且优化了Vth的一致性,使器件更加适合并联使用,具有负载电流更平滑,抗短路能力更强的优点。

 

 

捷捷微
Forward


 

系统概述
正激式开关电源在硬开关应用中有单管正激和双管正激两种,对于单管正激,由于变压器需要增加额外的磁复位绕组,在主开关MOS管关断时,MOS管会承受两倍于输入电压的应力,因此该类拓扑应用中我们推荐高BV的MOS管,以应对电压变化带来的冲击。对于双管正激,它是非常稳定的拓扑结构,工作频率不高,也不会出现过大的冲击电流,对MOS管的要求相对宽松,通常与PFC搭配用在200W~800W的适配器、工业电源、电脑电源或者环境相对恶劣又对稳定性要求高的场合。
 

股票简称(Stock Name):捷捷微电

股票代码(Stock Code):300623

全国统一热线

0513-68528666

地址:江苏省启东市经济开发区钱塘江路3000号

© 2020 江苏捷捷微电子股份有限公司  苏ICP备14001184号-1